|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 5251093个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010517468.X无效
-
畑光宏;桥本和彦
-
住友化学株式会社
-
2010-10-19
-
2011-05-04
-
G03F7/00
- 本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(1)至(11)：(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第一光致抗蚀剂膜，(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜，(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜，(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影，由此形成第一光致抗蚀剂图案，(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层，(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第二光致抗蚀剂膜，(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜，(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜，和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影，由此形成第二光致抗蚀剂图案
- 用于制备光致抗蚀剂图案方法
- [发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010623056.4无效
-
畑光宏;夏政焕
-
住友化学株式会社
-
2010-12-31
-
2011-07-13
-
G03F7/00
- 本发明提供一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括以下步骤(A)至(D)：(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜，将第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影，从而形成第一光致抗蚀剂图案；(B)使第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性，使第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物；(C)在步骤(B)中获得的第一光致抗蚀剂图案上，涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜，将第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，和(D)用碱性显影液将曝光的第二光致抗蚀剂膜显影，从而形成第二光致抗蚀剂图案
- 用于制备光致抗蚀剂图案方法
- [发明专利]图形形成法-CN96108243.7无效
-
李相均
-
三星航空产业株式会社
-
1996-07-18
-
2004-04-28
-
C23F1/02
- 一种图形形成法包括下列工序：在基板上形成不溶于刻蚀溶液的金属电镀薄膜；在电镀薄膜上形成光致抗蚀薄膜；用预定的光掩模图形将光致抗蚀薄膜曝光然后显影，由此制取光致抗蚀图形；用光致抗蚀图形作为掩模制取电镀薄膜图形；完全清除光致抗蚀图形；用电镀薄膜图形作为刻蚀掩模刻蚀基片，然后完全清除电镀薄膜图形。本发明由于用电镀薄膜图形代替了光致抗蚀图形作为基片刻蚀工序中的刻蚀掩模，故可准确精密加工引线框架。
- 图形形成
|
